Автоматизация и мехатроника
Автомобили и автомобильное хозяйство
Аддитивные технологии
Акватроника
Аэродинамика
Аэрокосмическая техника
Биология
Биотехнологии
Вычислительная и микропроцессорная техника
Гидромеханика
Коммуникации
Конструкции. Архитектура
Лесное хозяйство
Материаловедение
Медицина
Механика и материалы
Науки о Земле
Научное и лабораторное исследовательское оборудование
Нефтегазовая промышленность
Окружающая среда
Пищевая химия
Пищевые и водные технологии
Прикладная оптика и фотоника
Радиотехника, телекоммуникации и сети ЭВМ
Робототехника
Сельское хозяйство
Строительство
Термодинамика и термотехника
Технология машиностроения и обработка материалов
Транспорт
Управление процессом
Физика
Химические технологии
Химия
Экология
Электроника
Электроэнергетика
Энергетика
Энергия
Получение атомарного разрешения на поверхности графита
Принцип
Приближение очень острого металлического наконечника к электропроводящему образцу при приложении электрического поля приводит к возникновению тока между наконечником и образцом без какого-либо механического контакта. Этот так называемый туннельный ток используется для исследования электронного рельефа на вспомогательном нанометровом масштабе поверхности свежеприготовленного графита (ВОПГ). При сканировании линии наконечника построчно по поверхности графита изображаются атомы и гексагональные структуры.
Преимущества
-
Наблюдение атомов в течение нескольких минут
-
Микроскоп специально разработан для использования в учебных лабораториях
-
Микроскоп состоит из одного компактного портативного прибора, никаких дополнительных инструментов не требуется
-
Вибростойкий прибор для лучших и воспроизводимых результатов
-
Может использоваться как для работы с изображениями атомного разрешения, так и для спектроскопии
-
Возможность проведения дополнительного эксперимента с образцом золота.
-
Интерактивное учебное и обучающее программное обеспечение
Задание
-
Подготовьте кантилевер Pt-Ir и образец графита (HOPG) и приблизьте кантилевер к образцу.
-
Изучите топографию в режиме постоянного тока.
-
Изобразите расположение атомов графита на пробе при оптимизации параметров туннелирование и сканирование. Интерпретируйте структуру, анализируя углы и расстояния между атомами и атомными рядами и используя 2D и 3D модель графита.
-
Измерьте и сравните изображения в режимах постоянной высоты и постоянного тока.
Получаем понятие о
-
туннельный эффект
-
гексагональные структуры
-
сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)
-
изображения в вспомогательном нанометровом масштабе
-
пьезоэлектрические приборы
-
локальная плотность состояний (ЛПС)
-
режим постоянной высоты
-
режим постоянного тока
Программное обеспечение входит в комплект поставки, компьютер необходимо приобрести дополнительно.
